عنوان مقاله:

نویسندگان:

مصطفی مسلم پور، حسین آهنگر، اسماعيل شيباني

دیودهای ساطع کننده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی پروسکایت (Pe-QLEDs) به دلیل ویژگی منحصر به فردشان در طیف رنگی گسترده به عنوان کاندیدهای امیدوارکننده برای نمایشگرها و نورپردازی‌های نسل بعدی نشان داده شده‌اند. در این میان مواد آلی انتقال دهنده حفره (HTM) نقش حیاتی در عملکرد و پایداری دیودهای ساطع کننده نور Pe-QLED ایفا می‌کنند، و انتقال کارآمد حفره‌ها را از آند به لایه ساطع کننده تسهیل می‌کنند و در نتیجه بر بازده کلی و طول عمر سلول تأثیر می‌گذارند. HTMهای ‌ایده‌آل برای Pe-QLEDها باید سه اصل کلیدی را برآورده سازند: تحرک پذیری حفره بالا، تراز سطح انرژی و غیرفعال سازی سطح، که این ویژگی‌ها در HTMهای مبتنی بر کربازول دیده می‌شوند. بنابراین به‌طور خاص، دیود ساطع کننده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی پروسکایت با استفاده از ماده‌ی انتقال دهنده حفره X-1، عملکرد قابل توجهی را به دست آورد و EQE آن به 7/%12 رسید.

لایه انتقال دهنده حفره، دیود ساطع کننده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی پروسکایت، پایداری، طول عمر

برای لینک‌دهی به این مقاله از آدرس زیر استفاده نمایید:

برای ارجاع در منابع از عبارت زیر استفاده کنید:
مسلم پور، مصطفی، آهنگر، حسین، شيباني، اسماعيل، 1403، لایه انتقال دهنده حفره کارآمد در دیود ساطع کننده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی پروسکایت، بيست و چهارمين كنفرانس شيمي فيزيك ايران (انجمن شيمي ايران)، https://conf.ui.ac.ir/fa/archive_index.php?c=HN-ipcc24&aid=1510229